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量子力学に基づき次世代半導体
ナノデバイス開発に必要な材料設計、
ナノスケールで発現する物性予測、機能設計を実現する

次世代半導体ナノデバイス開発を実現するためには、ナノスケールに微細化された表面・界面に関する抜本的な技術的ブレークスルーが必要とされる。特に、ナノスケールに薄膜化された界面構造の形成・制御、ゲート絶縁膜に用いる高品質な高誘電体薄膜の材料探索、ナノ界面構造での電気伝導特性の解明は、シリコンナノデバイス発展の鍵を握っている。

また、シリコンナノデバイスの他にも、様々なナノ構造で初めて発現する新奇な機能の探索、その機能を実現するためのナノ構造制御に関する知見が必要である。

本サブテーマでは、第一原理計算手法を主な解析手法として用いて、ナノ構造の形成・構造・物性・機能を高精度に解析・予測できるシミュレーション・システムを開発することを目的とする。




Image1
水素終端Si(001)表面上でのSi吸着過程


Image2
単原子で架橋された電極の電子状態


Image3
絶縁体/半導体界面のバンド整列

     






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